技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
• 电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 1200 V
• 电流 - 平均整流值 (Io) 30A
• 正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.5 V @ 30 A
• 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢复时间 0 ns
• 电容 @ 反向电压, 法拉 -
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 Die
• 供应商器件封装 Die
• 工作温度 - 结温 -