技术细节

• 零件状态 Active
• IGBT类型 -
• 配置 Half Bridge
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
• 集电极电流（Ic）（最大值） 100 A
• 最大功率 250 W
• Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
• 集电极截止电流（最大值） 100 µA
• 输入电容（Cies）@ Vce 6 nF @ 25 V
• Input Standard
• NTC热敏电阻 Yes
• 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安装类型 Chassis Mount
• 封装 / 外壳 Module
• 供应商器件封装 SP1