技术细节

• 零件状态 Active
• 晶体管类型 1 NPN, 1 PNP
• 集电极电流（Ic）（最大值） 50mA, 10mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 24V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 700mV @ 1mA, 10mA / 400mV, 100µA, 1mA
• 集电极截止电流（最大值） 1µA
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 30 @ 100µA, 5V
• 最大功率 200mW
• 频率 - 转换 335MHz, 6.8MHz
• 工作温度 -55°C ~ 125°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供应商器件封装 16-SOIC