技术细节

• 零件状态 Active
• 得捷可编程 Not Verified
• 内存类型 Volatile
• 内存格式 SRAM
• 技术 SRAM - Asynchronous
• 内存容量 4Kbit
• 存储器结构 4K x 1
• 内存接口 Parallel
• 写入周期时间 - 字，页 290ns
• 访问时间 220 ns
• 电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
• 工作温度 -55°C ~ 125°C (TA)
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供应商器件封装 18-CERDIP