技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 Silicon Carbide (SiC)
• 配置 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 64A (Tc), 89A (Tc)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 178nC @ 20V, 232nC @ 20V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
• 最大功率 319W (Tc), 395W (Tc)
• 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安装类型 Chassis Mount
• 封装 / 外壳 Module
• 供应商器件封装 -