技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
• 集电极电流（Ic）（最大值） 100mA, 200mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 50V
• 电阻器 - 基极 (R1) 10kOhms
• 电阻器-发射极基极（R2） 10kOhms
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA
• 集电极截止电流（最大值） 1µA
• 频率 - 转换 230MHz
• 最大功率 300mW
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供应商器件封装 6-TSSOP