技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
• 电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 2000 V
• 电流 - 平均整流值 (Io) 114A
• 正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.75 V @ 40 A
• 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢复时间 0 ns
• 反向漏电流 @ 反向电压 600 µA @ 2 kV
• 电容 @ 反向电压, 法拉 4550pF @ 1V, 100kHz
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 TO-247-2
• 供应商器件封装 PG-TO247-2-U01
• 工作温度 - 结温 -55°C ~ 175°C