技术细节

• 零件状态 Discontinued at Digi-Key
• 晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 集电极电流（Ic）（最大值） 100mA, 500mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 50V
• 电阻器 - 基极 (R1) 47kOhms, 4.7kOhms
• 电阻器-发射极基极（R2） 47kOhms, 4.7kOhms
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
• 集电极截止电流（最大值） 500nA, 1µA
• 频率 - 转换 -
• 最大功率 300mW
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 SOT-23-6
• 供应商器件封装 Mini6-G4-B