技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 N and P-Channel
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.7V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 19nC @ 10V, 32nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V
• 最大功率 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供应商器件封装 PG-DSO-8-920