技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 配置 2 N-Channel (Dual)
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 48.1A (Tc)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 62mOhm @ 18.2A, 18V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.6V @ 3.7mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22nC @ 18V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 790pF @ 400V
• 最大功率 237W (Tc)
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-PowerSFN
• 供应商器件封装 PG-HSOF-8-2