技术细节

• 零件状态 Active
• 内存类型 Volatile
• 内存格式 SRAM
• 技术 SRAM - Asynchronous
• 内存容量 16Mbit
• 存储器结构 1M x 16, 2M x 8
• 内存接口 Parallel
• 写入周期时间 - 字，页 55ns
• 访问时间 55 ns
• 电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
• 工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供应商器件封装 48-TSOP I