技术细节

• 零件状态 Active
• 内存类型 Volatile
• 内存格式 DRAM
• 技术 SDRAM - Mobile LPDDR4X
• 内存容量 8Gbit
• 存储器结构 256M x 32
• 内存接口 LVSTL_06
• 时钟频率 1.866 GHz
• 写入周期时间 - 字，页 18ns
• 访问时间 3.5 ns
• 电压 - 供电 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
• 工作温度 -40°C ~ 105°C (TC)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 200-TFBGA
• 供应商器件封装 200-TFBGA (10x14.5)