技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 N and P-Channel
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 80V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 3A (Ta)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 116mOhm @ 3.5A, 10V, 167mOhm @ 3A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.1nC @ 10V, 17.4nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 90pF @ 40V, 750pF @ 40V
• 最大功率 1.4W (Ta)
• 工作温度 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供应商器件封装 8-SOP