技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 N and P-Channel
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 40V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 5A (Ta), 12A (Tc), 6A (Ta), 15A (Tc)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 47mOhm @ 5A, 10V, 44mOhm @ 6A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.5nC @ 10V, 16.7nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 150pF @ 20V
• 最大功率 2W (Ta), 13W (Tc)
• 工作温度 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
• 供应商器件封装 8-HSMT (3.2x3)