技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 Silicon Carbide (SiC)
• 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 190A
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5.56mOhm @ 190A, 18V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.55V @ 60mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 420nC @ 18V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 10100pF @ 850V
• 最大功率 20mW
• 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 等级 Automotive
• 认证 AEC-Q101
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
• 供应商器件封装 PG-MDIP-11-1