技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 38A (Tc)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 15V, 18V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 69mOhm @ 13A, 18V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.1V @ 4.1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 30 nC @ 18 V
• 最大栅源电压 +23V, -7V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1010 pF @ 800 V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 182W (Tc)
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Through Hole
• 供应商器件封装 PG-TO247-4-8
• 封装 / 外壳 TO-247-4