技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Ta)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 26.4mOhm @ 20A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 70µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
• 最大栅源电压 ±20V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 375 pF @ 30 V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 33W (Tc)
• 工作温度 175°C (TJ)
• 等级 Automotive
• 认证 AEC-Q101
• 安装类型 Surface Mount
• 供应商器件封装 DFN3333T8LSAB
• 封装 / 外壳 8-PowerTDFN