技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
• 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 16A, 40A
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 10mOhm @ 8A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 4.38mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5180pF @ 10V
• 最大功率 1.7W, 2.5W
• 工作温度 -40°C ~ 85°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-PowerSMD, Flat Leads
• 供应商器件封装 HSO8-F3-B