技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Ta), 19A (Tc)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 10mOhm @ 8A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 1.01mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
• 最大栅源电压 ±20V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1092 pF @ 10 V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 2.7W (Ta), 19W (Tc)
• 工作温度 150°C (TJ)
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 供应商器件封装 HSO8-F4-B
• 封装 / 外壳 8-PowerSMD, Flat Leads