技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 N and P-Channel
• 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
• 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.7A, 1A
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 120mOhm @ 1A, 4V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.3V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 280pF @ 10V
• 最大功率 700mW
• 工作温度 150°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 6-SMD, Flat Leads
• 供应商器件封装 WSMini6-F1-B