技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 晶体管类型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 集电极电流（Ic）（最大值） 100mA, 500mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 50V, 40V
• 电阻器 - 基极 (R1) 2.2kOhms
• 电阻器-发射极基极（R2） 2.2kOhms
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
• 集电极截止电流（最大值） 1µA
• 频率 - 转换 300MHz
• 最大功率 300mW
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 SOT-563, SOT-666
• 供应商器件封装 SOT-666