技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 2 N-Channel (Dual)
• 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
• 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 100mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.8V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 250pF @ 20V
• 最大功率 2W
• 工作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供应商器件封装 8-SO