技术细节

• 零件状态 Active
• 晶体管类型 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
• 集电极电流（Ic）（最大值） 3A
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 50V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
• 集电极截止电流（最大值） 1µA (ICBO)
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 180 @ 50mA, 3V
• 最大功率 500mW
• 频率 - 转换 320MHz, 300MHz
• 工作温度 150°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
• 供应商器件封装 TSMT5