技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
• 电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 600 V
• 电流 - 平均整流值 (Io) 15A
• 正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.8 V @ 15 A
• 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢复时间 15 ns
• 反向漏电流 @ 反向电压 10 µA @ 600 V
• 电容 @ 反向电压, 法拉 -
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 TO-220-2 Full Pack
• 供应商器件封装 TO-220FP-2L
• 工作温度 - 结温 -55°C ~ 150°C