技术细节

• 零件状态 Active
• 晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 集电极电流（Ic）（最大值） 100mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 50V
• 电阻器 - 基极 (R1) 22kOhms
• 电阻器-发射极基极（R2） 22kOhms
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 150mV @ 500µA, 5mA
• 集电极截止电流（最大值） 500nA
• 频率 - 转换 250MHz
• 最大功率 150mW
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 SOT-563, SOT-666
• 供应商器件封装 EMT6