技术细节

• 零件状态 Active
• 晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 集电极电流（Ic）（最大值） 400mA
• 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 20V
• 电阻器 - 基极 (R1) 2.2kOhms
• 电阻器-发射极基极（R2） -
• 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce 820 @ 10mA, 5V
• 集电极-发射极饱和电压（最大值）@基极电流，集电极电流 100mV @ 3mA, 30mA
• 集电极截止电流（最大值） 500nA (ICBO)
• 频率 - 转换 35MHz
• 最大功率 150mW
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供应商器件封装 UMT6