技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40 V
• 漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
• 漏极电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30 mA @ 20 V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 16pF @ 20V
• 电阻 - 导通电阻 (RDS(On)) 30 Ohms
• 最大功率 360 mW
• 工作温度 -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 3-SMD, No Lead
• 供应商器件封装 UB