技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 P-Channel
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30 V
• 漏极电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1 mA @ 5 V
• 电压 - 截止 (VGS关断) @ Id 750 mV @ 1 µA
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 10pF @ 5V
• 最大功率 300 mW
• 工作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
• 等级 Military
• 认证 MIL-PRF-19500/295
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 3-SMD, No Lead
• 供应商器件封装 UB