技术细节

• 零件状态 Active
• 内存类型 Non-Volatile
• 内存格式 EEPROM
• 技术 EEPROM
• 内存容量 1Kbit
• 存储器结构 256 x 4
• 内存接口 1-Wire®
• 写入周期时间 - 字，页 25ms
• 访问时间 2 µs
• 电压 - 供电 1.75V ~ 3.65V
• 工作温度 -20°C ~ 85°C (TA)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 6-SMD, J-Lead
• 供应商器件封装 6-TSOC