技术细节

• 零件状态 Active
• 驱动配置 Low-Side
• 沟道类型 Independent
• 驱动器数量 2
• 栅极类型 MOSFET (N-Channel, P-Channel)
• 电压 - 供电 4.5V ~ 18V
• 逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL)，高电平输入电压(VIH) 0.8V, 2.4V
• 电流 - 峰值输出（源极，漏极） 1.5A, 1.5A
• 输入类型 Inverting
• 上升/下降时间（典型值） 20ns, 20ns
• 工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供应商器件封装 8-PDIP