- 产品型号 MHTG1200HSR3
- 品牌 NXP USA Inc.
- RoHS Yes
- 描述 RF MOSFET GAN NI780
- 分类 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
库存:
技术细节
- 零件状态 Obsolete
- 技术 GaN
- 配置 2 N-Channel
- 频率 2.4GHz ~ 2.5GHz
- 增益 -
- 额定电流(安培) -
- 噪声系数 -
- 功率 - 输出 300W
- 额定电压 50 V
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 NI-780S-4L
- 供应商器件封装 NI-780S-4L