技术细节

• 零件状态 Obsolete
• 场效应晶体管类型 P-Channel
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 30 V
• 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
• 漏极电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7 mA @ 15 V
• 电压 - 截止 (VGS关断) @ Id 3 V @ 10 nA
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 8pF @ 10V (VGS)
• 电阻 - 导通电阻 (RDS(On)) 125 Ohms
• 最大功率 400 mW
• 工作温度 150°C (TJ)
• 安装类型 Through Hole
• 封装 / 外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• 供应商器件封装 TO-92-3