- 产品型号 ICPB2002-1-110I
- 品牌 Microchip Technology
- RoHS Yes
- 描述 DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
- 分类 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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技术细节
- 零件状态 Active
- 技术 GaN HEMT
- 配置 -
- 频率 12GHz
- 增益 10dB
- 电压 - 测试 28 V
- 额定电流(安培) 1A
- 噪声系数 -
- 电流 - 测试 125 mA
- 功率 - 输出 12W
- 额定电压 28 V
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die