技术细节

• 零件状态 Active
• 场效应晶体管类型 N-Channel
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 漏极至源极电压 (Vdss) 12 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
• 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 30mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 236µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
• 最大栅源电压 ±8V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 275 pF @ 10 V
• 场效应晶体管特性 -
• 最大功耗 360mW (Ta)
• 工作温度 150°C
• 等级 -
• 认证 -
• 安装类型 Surface Mount
• 供应商器件封装 4-CSP (0.8x0.8)
• 封装 / 外壳 4-XFLGA, CSP