技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 12V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 13.5A (Ta)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.4V @ 1.11mA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 25nC @ 4V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3570pF @ 10V
• 最大功率 540mW (Ta)
• 工作温度 150°C
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 10-SMD, No Lead
• 供应商器件封装 10-SMD