技术细节

• 零件状态 Active
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 配置 2 N-Channel, Common Drain
• 场效应晶体管特性 -
• 漏极至源极电压 (Vdss) 12V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9A (Ta)
• 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.4V @ 260µA
• 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 15nC @ 4V
• 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1810pF @ 10V
• 最大功率 500mW (Ta)
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安装类型 Surface Mount
• 封装 / 外壳 6-XFLGA, CSP
• 供应商器件封装 6-CSP (1.24x1.89)